Транзистор 2N5551

Транзистор 2N5551 Структура - n-p-n. Напряжение коллектор-эмиттер, не более: 160 В. Напряжение коллектор-база, не более: 180 В. Напряжение эмиттер-база, не более: 6 V. Ток коллектора, не более: 0.6 А. Рассеиваемая мощность коллектора, не более: 0.625 Вт. Коэффициент усиления транзистора по току (h): от 80 до 250.

• Модель: 2N5551
• Тип радиодетали: NPN-транзистор
• Количество предметов в упаковке: 5 шт.