Лань|Александрова, Лебедев, Мараева: Введение в технологию материалов микроэлектроники. Часть 3. Эпитаксиальный рост. Учебник для вузов

Представлены основные виды эпитаксиальных технологий. Рассмотрено конструктивное оформление и основные параметры наиболее распространенных видов эпитаксиального роста.
Сформулированы требования к эпитаксиальным подложкам и описаны основные этапы их подготовки для эпитаксии. Рассмотрены особенности зародышеобразования в гетерогенных системах. Представлена классификация видов и механизмов эпитаксии. Структурные особенности эпитаксиальных систем классифицируются на основе бикристаллографического подхода, с привлечением понятий о метрическом и симметрийном несоответствии компонентов эпитаксиальной пары. Рассмотрена методика идентификации ориентационных соотношений в гетероэпитаксиальных системах, основные источники упругих напряжений и механизмы их релаксации.
Учебник предназначен для бакалавров, обучающихся по направлениям «Электроника и наноэлектроника» и «Нанотехнологии и микросистемная техника». Может быть полезен для аспирантов и научных сотрудников, специализирующихся в проблематике...
Автор: Александрова Ольга Анатольевна, Мараева Евгения Владимировна, Лебедев Андрей Олегович
Издательство: Лань, 2023 г.
Серия: Радиоэлектроника и приборостроение
ISBN: 978-5-507-45481-5
Страниц: 216 (Офсет)
Масса: 412 г
Размеры: 243x170x14 мм